Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «МОНОЛИТНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ МАЛОШУМЯЩИХ УСИЛИТЕЛЕЙ САНТИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА НА ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ ALGAN/ALN/GAN/SIC, "Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Федоров Ю.В.1
  • Гнатюк Д.Л.2
  • Зуев А.В.3
  • Майтама М. В.4
стр. 440-443
Платно
1 Институт элементоорганических соединений имени А.Н. Несмеянова Российской Академии наук 119991 Москва, ул. Вавилова, 28, 2 Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской АН Российская Федерация, 117105, г. Москва, Нагорный проезд, 7, стр. 5, 3 Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской АН Российская Федерация, 117105, г. Москва, Нагорный проезд, 7, стр. 5, 4 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН)
  • В выпуске: №6, 2017, Том 46
  • В журнале: Микроэлектроника
  • Издательство: ФГУП «Издательство «Наука»
  • Рубрика ГРНТИ: Информатика. Информационные и вычислительные системы
  • Год выхода: 2017
Аннотация:
Представлены результаты разработки малошумящих широкополосных усилителей на HEMT гетеростркутуре AlGaN/AlN/GaN/SiC. В?рамках исследований были рассмотрены и?изготовлены два варианта МШУ, выполненных по двухкаскадной схеме. Приведены параметры изготовленных МИС МШУ.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.