Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Изменение знака магнетосопротивления и двумерная проводимость слоистого квазиодномерного полупроводника T1S3, "Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики"»

Авторы:
  • Горлова И.Г.1
  • Покровский В.Я.2
  • Гаврилкин С.Ю.3
  • Цветков А.Ю.4
стр. 180-186
Платно
1 Институт радиотехники и электроники РАН, Москва, Россия, 2 Институт радиотехники и электроники им. Котельникова РАН, 3 Физический институт им. Лебедева РАН, 4 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт имени П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва
Аннотация:
Измерены зависимости сопротивления слоистого квазиодномерного полупроводника TiS от направления и величины магнитного поля В. Анизотропия магнетосопротивления и его угловые зависимости свидетельствуют о двумерном характере проводимости при T < 100 К. Ниже TO ~ 50 К резко возрастает магнетосопротивление при направлениях поля в плоскости слоев (ab) , а поперечное магнетосопротивле-ние (ВIlс) становится отрицательным. Результаты подтверждают возможность электронного фазового перехода в коллективное состояние при То. При этом отрицательное магнетосопротивление (В||с) ниже То объясняется подавлением магнитным полем 2D слабой локализации, а положительное (?||??) -влиянием магнитного поля на спектр электронных состояний.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.