影像科学与光化学 ›› 2011, Vol. 29 ›› Issue (4): 318-318.DOI: 10.7517/j.issn.1674-0475.2011.04.318

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以低熔点金属为催化剂的CVD方法制备硅及硅氧化物纳米材料

王建涛, 张晓宏   

  1. 中国科学院理化技术研究所
  • 收稿日期:2011-05-27 出版日期:2011-07-23 发布日期:2011-07-23

Fabrication of Silicon and Silica Nanomaterials by CVD Method with Low Melting Point Metal as Catalysts

WANG Jian-tao, ZHANG Xiao-hong   

  • Received:2011-05-27 Online:2011-07-23 Published:2011-07-23

摘要: 一维硅纳米材料由于具有优越的电子学、光学特性以及能够与传统的硅基工业相兼容等特点,使其控制制备倍受科研工作者的关注.在众多一维硅纳米材料的控制合成方法中,经典的气相-液相-固相(VLS)机制下的催化剂诱导生长是一种极为重要的控制合成方法.在VLS机制中,金属催化剂是影响一维纳米结构生长的最重要的因素之一,它能够影响纳线的尺寸、生长方向以及纳米线的品质(纯度)等,因此,要熟练地利用VLS机制来控制合成一维纳米结构,必须明确掌握催化剂金属在VLS过程中的功能。