TEY法およびTFY法を用いて測定したN-K吸収スペクトルの分析深さを調べるために，Si₃N₄試料にCrを1～100 nmの厚さで堆積させてN-K吸収スペクトルを測定した．TEY法ではSi₃N₄のN-K吸収のピークが，膜厚2 nmまでははっきりと見られたが，3 nmではわずかに見えるだけとなり，4 nmでは見えなくなった．TFY法では膜厚100 nmでも，Si₃N₄のN-K吸収のピークがはっきりと見られた．ピーク強度の減少は，Cr膜の透過率の膜厚依存性としてほぼ説明できた．また，Arプラズマでエッチングしたことで表面の構造が変化したGaN結晶のN-K吸収スペクトルを測定した．TEY法で得たスペクトルでは，ピーク形状が平滑化しており結晶構造の乱れが確認できた．TFY法で得たスペクトルではピークの形状に変化はなかった．これにより，表面と内部で構造の異なる試料の評価に，TEY法とTFY法を併用することの有効性が確認できた．