マグネトロンスパッタ法で作製した窒化ホウ素（BN）薄膜の結晶構造を調べるため，B-KおよびN-K吸収端近傍微細構造（NEXAFS）を計測した．その結果，基板温度を600℃程度に上げて，かつ負のバイアス電圧を80 V以上印加した場合のみ，立方晶窒化ホウ素（c-BN）が安定して形成できることが分かった．また，表面敏感な全電子収量（TEY）法とバルク敏感な全蛍光収量（TFY）法のデータを比較することにより，表面にc-BN相の膜が形成される場合にも，内部ではh-BN相の割合が比較的高いことが分かった．これまで報告されたBN薄膜のNEXAFSデータの多くは，h-BN相ベースの薄膜のものであった．今回報告するBN薄膜では，c-BN粉末の標準試料に近いスペクトルが得られており，c-BN相薄膜を形成するためのデータベースとして有効に活用できるものと考える．
