省エネルギーのカギとなるパワー半導体分野で、群を抜いた材料特性から、SiCを上回る低損失電力変換デバイス用材料として期待されているダイヤモンドの、デバイス応用に向けた先導研究を行った。高い絶縁破壊電界の実証、ドリフト層エピ成長改善によるキラー欠陥撲滅、高温動作を可能にする超耐熱ショットキー電極開発、電界緩和構造^用語1や高電流素子の実現等の一連の開発である。その結果、250 ℃で30万時間以上動作可能な耐熱ショットキーバリアダイオードを開発し、高速スイッチング特性を確認し、ダイヤモンドのパワーデバイス用材料としての可能性を実証することができた。冷却フリーという新しいコンセプトの低損失デバイス実現に向けた、大型ウェハと大電力デバイスの研究が急がれる。