Эффект электрического поля при кристаллизации аморфных пленок TlIn 1– x  Sn  x  Se 2

Алекперов Э. Ш.; Джабаров С. Г.; Дарзиева Т. А.; Ибрагимов Г. Б.; Назаров А. М.; Фарзалиев С. С.

doi:10.31857/S0002337X23010025

Эффект электрического поля при кристаллизации аморфных пленок TlIn_1–xSn_xSe₂

Authors: Алекперов Э.¹, Джабаров С.¹, Дарзиева Т.¹, Ибрагимов Г.², Назаров А.², Фарзалиев С.²
Affiliations:
1. Бакинский государственный университет
2. Институт физики им. академика Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана
Issue: Vol 59, No 1 (2023)
Pages: 10-13
Section: Articles
URL: https://journals.rcsi.science/0002-337X/article/view/140110
DOI: https://doi.org/10.31857/S0002337X23010025
EDN: https://elibrary.ru/OORRYQ
ID: 140110

Cite item

Full Text

Open Access
Restricted Access

Access granted
Restricted Access

Subscription Access

Abstract
About the authors
References
Supplementary files
Statistics

Abstract

Кинетика кристаллизации аморфных пленок TlIn_1–хSn_xSе₂ толщиной 30 нм, полученных в высоком вакууме термическим осаждением, в постоянном электрическом поле напряженностью Е = 3000 В/см, исследовалась методом кинематической электронографии. Показано, что формирование кристаллической структуры при термообработке аморфных пленок происходит по закономерностям, установленным Авраами–Колмогоровым. По кинетическим кривым фазового превращения прослеживается влияние электрического поля на увеличение диапазона температур кристаллизации пленок, а также на значения энергий активации зародышеобразования и дальнейшего роста кристаллов. Величина суммарной энергии активации процесса кристаллизации оказалась равной Е_общ = 44.92 ккал/моль. Дифракционные линии от поликристаллической пленки TlIn_0.93Sn_0.07Sе₂ на кинематической электронограмме индицируются на основе параметров тетрагональной ячейки а = b = 0.8358, с = 0.7086 нм, соответствующих пр. гр. \(D_{{4h}}^{{18}}\)–I4/mcm. При нахождении пленок в вакууме при комнатной температуре более двух месяцев не обнаружено изменений ни в их качестве, ни в дифракционной картине.

Keywords

твердые растворы, полупроводник, дифракция, аморфная пленка, электронограмма

References

Nowosielski R., Zajdel A., Lesz S., Kostrubiec B., Stokłosa Z. Crystallization of Amorphous Co77Si11.5B11.5Alloy // Arch. Mater. Sci. Eng. 2007. V. 28. № 3. P. 141–148.
Пашаев А.М., Джафаров Т.Д. Физические основы наноэлектроники. Баку. 2014. 88 с.
Kavetskyy T.S., Shpotyuk O.I., Boyko V.T. Void-species Nanostructure of Chalcogenide Glasses Studied with FSDP-related XRD // J. Phys. Chem. Solids. 2007. V. 68. № 5–6. P. 712–715.
Филачев А.М., Таубкин И.И., Тришенков М.А. Твердотельная фотоэлектроника. М.: Физматкнига, 2012. 363 с.
Sanghera J.S., Florea C.M., Shaw L.B., Pureza P. et al. Non-Linear Properties of Chalcogenide Glasses and Fibers// J. Non-Cryst. Solids. 2008. V. 354. № 2–9. P. 462–467.
Kovanda V., Mir Vicek, Jain H. Stmcture of As–Se and As–P–Se Glasses Studied by Raman Spectroscopy // J. Non-Cryst. Solids. 2003. V. 326–327. P. 88–92.
Сардарлы Р.М., Самедов О.А., Алиева Н.А., Гусейнов Э.К. и др. Проводимость по локализованным состояниям системы твердых растворов (TlInSe2)1–x(TlGaTe2)x // ФТП. 2015. Т. 49. B. № 12. С. 1704–1709.
Ismailov D.I., Aliyeva M.F., Alekperov E.Sh., Aliyev F.I. Electron Diffraction Investigation of Structural Diversity of Amorphous Films of Polymorphic TlInS2 // Semiconductors. 2003. V. 37. P. 744–747.
Авилов А.С. Прецизионная электронография: Дис. ... докт. физ.-мат. наук: 01.04.18. М., 1999. 274 с.
Кулыгин А.К., Кулыгин К.В., Авилов А.С. Новые подходы к прецизионным измерениям дифракционных картин в электронографии // Кристаллография. 2020. Т. 65. № 2. С. 325–334. https://doi.org/10.31857/S0023476120020149
Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.: Наука, 1987. 431 с.
Panaxov M.M., Alekperov E.Sh., Qarayev E.S., Sadraddinov S.A. et al. Phase Transition at Thermal Treatment of TlIn1–xSnxSe2 Amorphous Films // AIP Fizika. 2020. V. 26. № 4. P. 28–31.
Чопра К. Электрические явления в тонких пленках. М.: Мир, 1992. 435 с.