大気圧プラズマCVDにより高速形成した多結晶Si薄膜の構造に対するSiH4濃度の影響

大参 宏昌; 垣内 弘章; 中濱 康治; 江畑 裕介; 安武 潔; 芳井 熊安; 森 勇藏

doi:10.2493/jspe.71.1393

論文

大気圧プラズマCVDにより高速形成した多結晶Si薄膜の構造に対するSiH₄濃度の影響

大参宏昌, 垣内弘章, 中濱康治, 江畑裕介, 安武潔, 芳井熊安, 森勇藏

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ジャーナルフリー

2005 年 71 巻 11 号 p. 1393-1398

DOI https://doi.org/10.2493/jspe.71.1393

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抄録

大気圧プラズマCVD法により作製したpoly-Si薄膜の膜構造に関して, SiH₄濃度依存性を調べた. その結果, SiH₄濃度は, poly-Si薄膜の形態, 配向, 結晶化率, 水素濃度に影響を与えていることが分かり, とりわけSiH₄濃度の変化による膜中含有水素が, 膜構造の変化に与える影響に関して考察した.

責任著者(Corresponding author)

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