電気学会誌
Online ISSN : 1881-4190
Print ISSN : 1340-5551
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シリコン表面界面のナノスケール観察技術
市川 昌和
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キーワード: Si半導体素子, ゲート絶縁膜, Si表面界面, 走査反射電子顕微鏡, 走査トンネル顕微鏡
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2002 年 122 巻 2 号 p. 87-89

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