主催: 社団法人 溶接学会
大阪大学
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半導体の高集積化は、経済的・物理的観点から微細化限界に直面している。これを打開する方式として3D-SiPが提案されているが、TSV形成時に生産性や接続温度階層等多くの問題がある。本研究では、これらの問題を解決する方式としてBi-Sn系合金を用いた新しいTSV形成方式に着目し、温度階層接続方式の基礎検討を行った。
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