主催: 日本表面真空学会
東北大学多元物質科学研究所
東北大学理学研究科
奈良先端科学技術大学院大学
大阪大学産業科学研究所
東北大学工学研究科
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３次元構造のトランジスタFinFETの側面は、想定された(110)面ではなく(551)面で形成されていることが報告されているなど、(551)は安定な表面と予想される。一方でSTMの研究ではSi(551)面は、{20,23,4}ファセットから構成されているとの報告もある。そこでSi(551)基板を超高真空中で加熱清浄化し、その表面構造をワイゼンベルグ反射高速電子回折法とSTMを用いて観察を行った。
表面科学講演大会講演要旨集
表面科学学術講演会要旨集
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