主催: 日本表面真空学会
筑波大学理工情報生命学術院数理物質科学研究群
名古屋大学大学院理学研究科
東京都立大学理学研究科
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MoS2やWSe2などの遷移金属ダイカルコゲナイド原子層(以下TMDC)は単層で優れた半導体特性を示すことから,TMDCをベースとした超微細デバイスの実現が期待されている。
本研究では,作成方法の異なるNbドーピングWSe2試料について, STM・STSを用いてNbドーパントの観察及び電子状態の測定を行った。STSの結果から電子状態の変化を確認し,Nbが負に帯電していることを解明した。
表面科学講演大会講演要旨集
表面科学学術講演会要旨集
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