元素置換によるBiFeO3（BFO）薄膜のリーク抑制を目的とし、PLD法によりBFO、Ti添加BFO、Mn添加BFO、Mn,Ti同時添加BFO（BFMT）をPt/SrTiO3基板上に作製した。XRD測定より、いずれの試料もランダム配向のBFOである事が確認された。薄膜キャパシタの電気測定から、BFMTは他の試料に比較して室温で大幅にリーク電流が抑制され、安定なヒステリシス特性も観測された。また、強誘電特性として、2100kV/cm印加時にPr：75μC/cm2、Ec：310kV/cmが得られた。
