CSD法PZT薄膜のレーザーアニーリングによる低温結晶化

鈴木 久男; 宮崎 孝晴; 曹 雪; 坂元 尚紀; 脇谷 尚樹

doi:10.14853/pcersj.2009S.0.157.0

2009年年会講演予稿集

セッションID: 2A05

DOI https://doi.org/10.14853/pcersj.2009S.0.157.0

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主催: 公益社団法人日本セラミックス協会

CSD法PZT薄膜のレーザーアニーリングによる低温結晶化

*鈴木久男, 宮崎孝晴, 曹雪, 坂元尚紀, 脇谷尚樹

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キーワード: 化学溶液法, レーザーアニーリング, チタン酸ジルコン酸鉛, 低温結晶化

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抄録

本研究では、実現できれば将来的に広い応用が期待されるCSD法PZT薄膜の低温結晶化を試みた。本研究では、シード層兼電極層として250nm厚のCSD法LNO薄膜をSi基板上に形成し、その上にCSD法によりPZT前駆体薄膜を作製した。作製したPZT前駆体を300℃～420℃で10分間熱処理した後、基板を加熱しながら190mJのKrFエキシマレーザーで結晶化を試みた。その結果、作製したPZT薄膜のX線回折図から明らかになったように、レーザーアニーリングにより350℃という低温で(001)&(100)方向に配向したPZT薄膜を得ることに成功した。

責任著者(Corresponding author)

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