一次電子照射により，カスケード過程を通じて放出される二次電子のエネルギー分布を解釈するため，特別設計されたＣMAを用いて測定した27種の単一元素からなる純物質と12種の化合物における二次電子スペクトルを解析した．その結果，数十eV以下の二次電子スペクトルには3つの成分が存在することがわかった。3つの成分とは，一次電子による個別励起による成分，数10 eVのオージェ電子により励起される成分，およびプラズモンの崩壊やその他の励起による微細構造の成分である．これら成分のスペクトルが運動エネルギーの冪乗（E^-γ）に依存すると仮定し，N(E)スペクトルにおけるこれら3成分の強度を計算した． 200～5000 Vの範囲の加速電圧で計測した純物質および化合物において，一次電子による個別励起成分の強度は最外殻電子の数と正の相関がある．オージェ電子により励起された二次電子の強度は価電子帯の価電子の数と正の相関がある．一方，その他の微細構造の強度は，価電子の数と明確な関係がない．また，個別励起成分の二次電子強度の原子番号に対する依存性は，単一元素からなる純物質とその化合物とで，ほぼ同様であるのに対し，その他の微細構造の強度の原子番号に対する依存性は，純物質とその化合物では同じではない．