東北大工
東北大院
東北大
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ナノスケールトランジスタの性能はその応力・ひずみ状態に依存して複雑に変化することが知られており,製品の性能や信頼性を保証するには,製造工程における残留応力変化を正確に計測する技術開発が望まれている.そこで,シリコン結晶のピエゾ抵抗効果を応用し,シリコン基板内蔵センサを開発し,50nm サイズのトランジスタ製造薄膜プロセスにおける残留応力測定を実現した.
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