日本原子力学会　年会・大会予稿集
2003年秋の大会
セッションID: H50
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反応性・薄膜・熱電特性
イオンビーム蒸着法を用いたSiおよびCu薄膜の作製と評価
*水野 雄介, 小林 靖史, 浦野 晃宏, 長崎 正雅, 松井 恒雄
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キーワード: イオンビーム蒸着, Si薄膜, Cu薄膜, エピタキシャル成長
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抄録

イオンビーム蒸着(IBD)法を用いてSiおよびCu薄膜を作製し，表面の構造と組成について知見を得た．今後，オゾンを酸化剤に用いてSiO2やCuOのような酸化物薄膜の作製を予定している．

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© 2003 一般社団法人 日本原子力学会
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