大気圧VHFプラズマによるSiの低温・高速成膜技術の開発 TFT特性に対する電極長さの影響

坂口 尭之; 林 威成; 田牧 祥吾; 山田 高寛; 大参 宏昌; 垣内 弘章; 安武 潔

doi:10.11522/pscjspe.2015S.0_1075

2015年度精密工学会春季大会

セッションID: S03

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2015S.0_1075

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主催: 公益社団法人精密工学会

大気圧VHFプラズマによるSiの低温・高速成膜技術の開発

TFT特性に対する電極長さの影響

*坂口尭之, 林威成, 田牧祥吾, 山田高寛, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔

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キーワード: 大気圧, 薄膜トランジスタ, シリコン, 低温, プラズマ

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抄録

アモルファスSi(a-Si)や微結晶Si(μc-Si)は薄膜太陽電池や薄膜トランジスタ(TFT)などの様々な薄膜デバイスの材料として期待が寄せられている．本研究では，150 MHzの超高周波電力で励起した大気圧プラズマによる低温かつ高速なa-Siおよびμc-Siの成膜技術の開発を目指している．本発表では，基板温度220 ℃でSi成膜する際の電極長さがボトムゲート型TFTの特性に及ぼす影響について検討した結果を報告する．

責任著者(Corresponding author)

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