主催: 社団法人精密工学会
大阪大学 大学院工学研究科 機械システム工学専攻
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本研究は,次世代の高機能半導体に用いられるSOIウエハにおける,薄膜層内の3次元微小欠陥検出手法として,エバネッセント光によるナノ欠陥計測法を提案するものである.本報ではSOI層をスラブ導波路と見立て,Siに対して透過性の赤外光をSiプリズムによってカップリングさせる実験を行った.このとき発生するエバネッセント光を検出し得られた光強度分布から,SOI層内の欠陥の検出に利用できるか検討した.
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