LSIをスタック構造で高密度に実装することによりパッケージ内のSi密度を飛躍的に高めた積層デバイス：SEP(System Embedded Package)を開発し実用化した。
下側チップはスタッドバンプと封止接着フィルムを用いたNSD(Non Conductive Adhesive Stud Bump Direct Interconnection)工法により接合を行った。このフリップチップ接合したLSIの上に更に別のLSIを積層し、低ループのワイヤボンディング技術により接合した。
下側チップをフリップチップ接合することで上側チップのワイヤボンディングが容易に行え、合計600ピンを越える超多ピンのシステムLSIをパッケージング技術により実現することが可能となった。
更に、基板の全ての層において自在に結線が可能なALIVH-B基板を用いたことにより、SEP内部で上側チップと下側チップが内部結線され、パッケージへの外部出力数が約20％低減されている。
このSEPを移動体通信機器用パッケージに採用することにより、従来のCSPの実装面積と比較して35％減少することができた。
これによりパッケージ外形の縮小とマザーボード内での配線が容易になった。
