17-6 高感度1/4インチ25万画素CCD撮像素子

冨留宮 正之; 森本 倫弘; 畑野 啓介; 南 数馬; 穂苅 泰明; 川上 幸也; 中野 隆; 河合 真一; 村上 一朗; 織原 弘三; 武藤 信彦; 諏訪園 忍; 寺西 信一; 河野 明啓

doi:10.11485/tvac.29.0_301

DOI https://doi.org/10.11485/tvac.29.0_301

会議情報

17-6 高感度1/4インチ25万画素CCD撮像素子

冨留宮正之, 森本倫弘, 畑野啓介, 南数馬, 穂苅泰明, 川上幸也, 中野隆, 河合真一, 村上一朗, 織原弘三, 武藤信彦, 諏訪園忍, 寺西信一, 河野明啓

著者情報

冨留宮正之
NECULSIデバイス開発研究所
森本倫弘
NECULSIデバイス開発研究所
畑野啓介
NECULSIデバイス開発研究所
南数馬
NECULSIデバイス開発研究所
穂苅泰明
NECULSIデバイス開発研究所
川上幸也
NECマイクロエレクトロニクス研究所
中野隆
NECマイクロエレクトロニクス研究所
河合真一
NECマイクロエレクトロニクス研究所
村上一朗
NECマイクロエレクトロニクス研究所
織原弘三
NECマイクロエレクトロニクス研究所
武藤信彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
諏訪園忍
NECマイクロエレクトロニクス研究所
寺西信一
NECマイクロエレクトロニクス研究所
河野明啓
NECシステムマイクロ事業部

会議録・要旨集フリー

p. 301-302

詳細

抄録

A high-sensitivity 1/4" 250k pixel Interline Transfer CCD (IT-CCD) image sensor has been developed. To achieve high-sensitivity, high-energy ion implantation process is adopted for photodiode (PD) formation. According to device simulation results, transfer gate (TG) and channel stop (CS) length are reduced to increase saturation signal. Sensitivity improvement of 35% are obtained, as well as 100mV saturation signal. Low smear level of -95dB is also achieved.

責任著者(Corresponding author)

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