二段階気相法の粒子成長過程において、不純物原料としてTb、Tm、ZnSを用い、これらをGaClと同時に供給することにより、GaN粉体へのTb、Tm、およびZnのドーピングを達成した。不純物濃度は、それぞれ6×10^<19>、4×10^<20>、1.5×10^<20>cm^<-3>であった。これらの試料のうち、GaN:TbはTb^<3+>イオンの内殻遷移によるフォトルミネッセンス(PL)を示した。GaN:Znについては、NH_3雰囲気中、1000℃でアニールを行うことにより、Znを発光中心とする青色のPLを示した。
