日本電気(株)光・無線デバイス研究所
2002 年 71 巻 3 号 p. 295-301
(EndNote、Reference Manager、ProCite、RefWorksとの互換性あり)
(BibDesk、LaTeXとの互換性あり)
インターネットや携帯電話の爆発的な普及により,化合物半導体を用いた高速電子デバイスの用途が拡大している.中でも, GaAs半導体を用いた高速トランジスタは,優れた電子物性と先端の量産プロセス技術を背景に,最新の携帯電話端末および基地局の性能向上に貢献している.本稿では, GaAs系高速電子デバイスについて,これまでの技術の変遷と実用化の現状を紹介し,終わりに将来の新しい市場開拓の可能性についても展望する.
すでにアカウントをお持ちの場合 サインインはこちら