応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
GaAs系高速電子デバイス
葛原 正明田中 愼一
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2002 年 71 巻 3 号 p. 295-301

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抄録

インターネットや携帯電話の爆発的な普及により,化合物半導体を用いた高速電子デバイスの用途が拡大している.中でも, GaAs半導体を用いた高速トランジスタは,優れた電子物性と先端の量産プロセス技術を背景に,最新の携帯電話端末および基地局の性能向上に貢献している.本稿では, GaAs系高速電子デバイスについて,これまでの技術の変遷と実用化の現状を紹介し,終わりに将来の新しい市場開拓の可能性についても展望する.

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© 社団法人 応用物理学会
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