六方晶GaNを中心としたIII-V族窒化物で構成される青色発光および電子デバイスは極性面上に形成されている.われわれはこの極性構造を切り口にしてMOCVD-GaN 薄膜の成長,特性に関する研究を行ってきた.その結果,成長プロセス(基板処理,低温緩衝層など)と成長方位(極性)に非常に大きな相関があることを定性的ながら見いだした. GaN 薄膜成長や特性に極性が関与する現象(成長モードや特性)に対するわれわれの現在の理解を紹介する.