チャージポンピング（CP）法を用いて，単一のMOS界面トラップを個別に検出して評価する手法を考案し，全く新しい視点でトラップ物理の解明を進めた．従来のCP理論の根幹であるトラップ1個当たりの最大CP電流I_CPMAX=fq（fはゲートパルス周波数，qは電子電荷）は誤りであり，0〜2fqのさまざまな値をとることを実証した．この結果は，界面トラップの正体がP_bセンタであることを支持しており，さまざまなI_CPMAXを示す原因がトラップ準位対の形態の違いにあることを実証した．また，単一トラップのエネルギー準位密度分布（DOS）を導出し，P_b0センタのDOSと酷似していることを示すとともに，界面トラップのDOSはU字型とする定説に疑問を呈した．