電子ビーム蒸着によるGe上へのY酸化物系ゲート絶縁膜形成

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第79回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 21p-145-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_2857

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 79

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2018/09/18 - 2018/09/21

電子ビーム蒸着によるGe上へのY酸化物系ゲート絶縁膜形成

*秋山健太郎, 井芹健人, 温偉辰, 山本圭介, 王冬, 中島寛

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キーワード: 21p-145-4, 半導体, 絶縁膜技術, high-k膜, 半導体

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