ZnO:Eu薄膜からの発光：Si基板とSiO<sub>2</sub>基板の特性比較

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第65回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 18a-G204-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_3348

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 65

開催地: 早稲田大学・ベルサール高田馬場

開催日: 2018/03/17 - 2018/03/20

ZnO:Eu薄膜からの発光：Si基板とSiO₂基板の特性比較

*赤沢方省, 篠島弘幸

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キーワード: 18a-G204-7, 半導体, 光物性・発光デバイス, 希土類添加, ZnO:Eu, フォトルミネッセンス, エネルギー移動

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