ポストウェットアニール処理を用いたダイヤモンドMESFETの作製

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第75回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 19a-PB1-19

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_1185

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 75

開催地: 北海道大学

開催日: 2014/09/17 - 2014/09/20

ポストウェットアニール処理を用いたダイヤモンドMESFETの作製

*中西一浩, 南山拓真, 宮田大輔, 辻裕司, 徳田規夫, 小倉政彦, 山崎聡, 森本章治, 川江健, 猪熊孝夫

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キーワード: 19a-PB1-19, 薄膜・表面, カーボン系薄膜, ダイヤモンド, FET, OH終端

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