Gd添加GaN薄膜中の原子空孔型欠陥の陽電子消滅法による評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第61回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 20a-E13-1

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3350

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 61

開催地: 青山学院大学

開催日: 2014/03/17 - 2014/03/20

Gd添加GaN薄膜中の原子空孔型欠陥の陽電子消滅法による評価

*籔内敦, 大島永康, ブライアンオローク E., 鈴木良一, 伊藤賢志, 佐野壮太, 東晃太郎, 周逸凱, 長谷川繁彦

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キーワード: 20a-E13-1, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 陽電子消滅, 原子空孔, 格子膨張

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