テトラエトキシゲルマニウムを用いた原子層堆積法によるGe酸化膜の形成

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第73回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 12p-F4-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_2700

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 73

開催地: 愛媛大学・松山大学

開催日: 2012/09/11 - 2012/09/14

テトラエトキシゲルマニウムを用いた原子層堆積法によるGe酸化膜の形成

*吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

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キーワード: 12p-F4-3, 半導体A（シリコン）, 絶縁膜技術, ゲルマニウム, テトラエトキシゲルマニウム, 原子層堆積法

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