Ge-Siのサイクロトロン共鳴 : 半導体(理論, サイクロトロン共鳴)

日本物理学会春季分科会講演予稿集

Online ISSN : 2433-1120

セッションID: 9a-C-6

DOI https://doi.org/10.11316/jpsgaiyob.1964.5.0_194

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Ge-Siのサイクロトロン共鳴 : 半導体(理論, サイクロトロン共鳴)

永田清一, 邑瀬和生, 大塚エイ三, 川村肇

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