10aAE-2 シリコン原子空孔軌道の強い四極子-歪み結合による自発歪みと臨界濃度(10aAE 格子欠陥(半導体・金属・転位),領域10(構造物性(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン)))

日本物理学会講演概要集

Online ISSN : 2189-0803
ISSN-L : 2189-0803

セッションID: 10aAE-2

DOI https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.69.2.4.0_705_3

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10aAE-2 シリコン原子空孔軌道の強い四極子-歪み結合による自発歪みと臨界濃度(10aAE 格子欠陥(半導体・金属・転位),領域10(構造物性(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン)))

三本啓輔, 木村駿生, 赤津光洋, 根本祐一, 後藤輝孝

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