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이 논문의 연구 히스토리 (4)

2018

평면 이온트랩의 X형 교차로 영역을 통과하는 이온 손실의 가능성을 줄이기 위한 DC 인가 전압 세트 설계
박윤재 ,  이민재 ,  홍석준 외 5명 한국통신학회논문지 2018.10 학술저널
평면 이온 트랩에 포획된 이온이 교차점을 통과시 손실 가능성을 최소화하기 위한 DC 전압 설계
박윤재 ,  이민재 ,  홍석준 외 5명 한국통신학회 학술대회논문집 2018.01 학술대회자료

2017

유전 알고리즘을 이용한 X-교차점 이온트랩의 유사전위 장벽의 최적화
박윤재 ,  이민재 ,  홍석준 외 5명 제어로봇시스템학회 국내학술대회 논문집 2017.05 학술대회자료

2016

포획된 이온의 위치 제어를 위한 DC 전압 설계 방법
박윤재 ,  홍석준 ,  이민재 외 2명 제어로봇시스템학회 국내학술대회 논문집 2016.03 학술대회자료

초록·키워드

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이온트랩 기반의 대규모 양자정보처리 시스템의 구현을 위해서는 선형 이온트랩이 교차하여 교차로를 생성시키는 평면 이온트랩 시스템의 설계 및 안정적인 이온 이동 방법 개발이 필요하다. 양자정보를 가지고 있는 이온이 안정적으로 교차로 이온트랩을 통과하도록, DC 인가 전압 세트를 적절히 설계하여 이온의 손실 가능성을 감소시킬 필요가 있다. 전위 우물에 포획된 이온이 축방향으로 이동할 때, 이온에서 보여지는 전위 우물의 형태의 변화는 이온 가열을 초래한다. 본 논문에서는 전위 우물이 그 형태를 유지하고 축방향으로 -150 ㎛ 부터 +150 ㎛ 까지 이동될 수 있는 DC 인가 전압 세트를 추출하는 방법을 제안한다. 이 방식은 대규모 양자정보처리 장치의 구현을 위한 이온 이동 실험에 적용될 수 있다.

In order to realize a large-scale quantum information processing system based on ion traps, it is necessary to design planar ion trap systems, in which linear ion traps intersect each other forming a junction and to develop methods to move ions in a stable path. In order for ions having quantum information to stably pass through the junction, minimizing the possibility of ion losses by appropriately designing applied DC voltage sets is required. When ions captured in the potential well move in the axial direction, changes in the shape of the potential well seen by the ions result in the heating of those ions. In this paper, we propose a method of extracting DC voltage sets that allow the potential well to maintain its shape within a -150 ㎛ to +150 ㎛ range in the axial direction. This method can be applied to ion shuttling experiments for the realization of large-scale quantum information processing devices.
#DC voltage #ion shuttling #QIP #junction ion trap #ion losses

목차

요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. X-교차점 이온트랩의 구조
Ⅲ. DC 인가 전압의 결정
Ⅳ. 결과 분석
Ⅴ. 결론
References

참고문헌 (39)

참고문헌 신청
Y. Park, M. Lee, S. Hong, C. Jung, J. Cheong, T. Kim, Y. Kwon, and D. Cho, “Deisgn of DC voltage sets for minimizing ion losses while transporting ions via junction nodes on a surface ion trap chip,” in Proc. KICS Winter Conf., pp. 17-18, Jeongseon, Korea, Jan. 2018. Y. Park, M. Lee, S. Hong, C. Jung, J. Cheong, T. Kim, Y. Kwon, and D. Cho, “Deisgn of DC voltage sets for minimizing ion losses while transporting ions via junction nodes on a surface ion trap chip,” in Proc. KICS Winter Conf., pp. 17-18, Jeongseon, Korea, Jan. 2018. Y. Park, M. Lee, S. Hong, C. Jung, J. Cheong, T. Kim, Y. Kwon, and D. Cho, “Deisgn of DC voltage sets for minimizing ion losses while transporting ions via junction nodes on a surface ion trap chip,” in Proc. KICS Winter Conf., pp. 17-18, Jeongseon, Korea, Jan. 2018. D. Cho, S. Hong, M. Lee, and T. Kim, “A review of silicon microfabricated ion traps for quantum information processing,” Micro and Nano Syst. Lett., vol. 3, no. 1, pp. 1-12, Apr. 2015. D. Cho, S. Hong, M. Lee, and T. Kim, “A review of silicon microfabricated ion traps for quantum information processing,” Micro and Nano Syst. Lett., vol. 3, no. 1, pp. 1-12, Apr. 2015.

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