本論文為開發類鑽膜的其它應用領域，以自行研發之射頻式電容偶合電漿輔助化學氣相沉積系統進行類鑽膜的製程；製成氣體為乙炔並改變製程偏壓以研究在各種偏壓下有的硬度、鍵結。之後在製程中摻入氮氣，並改變氮氣流量、製程偏壓以及退火等變數，來探討參數改變對於類鑽膜的電性影響。本論文以化學分析電子能譜儀(ESCA)、拉曼光譜(Raman spectrum)、傅立葉紅外線光譜儀(FT-IR)、四點探針(four-point probe)、奈米壓痕儀(nanoindenter)等分析儀器來探討薄膜之物理性質以及內部鍵結，藉以得知含氮類鑽膜之電阻率的大小以及探討電性改變的原因。最後本論文利用摻氮類鑽膜的特性成功開發出紅外線發射源。