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  • 學位論文

矽奈米晶體的光學特性研究

Optical properties of silicon nanocrystals

指導教授 : 朱惠美 沈志霖

摘要


摘 要 我們利用光激螢光光譜研究成長於矽氧化層中矽奈米晶體之光學特性。由光激螢光光譜發現,室溫下樣品發光能量位置約在1.7 eV。未經過氫氣熱退火處理之矽奈米晶體於不同量測溫度下之光激螢光光譜發現,其螢光強度趨勢、螢光訊號位置趨勢與半高寬趨勢和一般半導體材料特性雷同。隨著氫氣熱退火溫度的增加,矽奈米晶體的螢光強度會因懸鍵鈍化而有增強的現象。由經過氫氣熱退火處理後之矽奈米晶體於不同溫度下之螢光能量趨勢中發現,載子會有侷域化的現象。我們觀察到載子是侷域在奈米矽中。 在溫度變化的光激螢光研究中,可得出熱活化的活化能是21 meV,與載子侷域化的侷域能量是一致的。

關鍵字

奈米材料 奈米晶體

並列摘要


Abstract Photoluminescence(PL) of silicon nanocrystals were studied using the continuous and time-resolved PL measurements.The silicon nanocrystals were fabricated by atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD) method. When the silicon nanocrystals surface was passivated with oxygen atoms,the intensity of red luminescence increased more than one order of magnitude. Furthermore,the temperature dependent PL intensity shows that,the recombination process includes radiative and nonradiative recombination process. The localization effect also proved by emission dependent time-resolved PL.

並列關鍵字

nanocrystals silicon

參考文獻


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被引用紀錄


郭昭克(2010)。矽量子點太陽能電池〔碩士論文,國立臺灣師範大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0021-1610201315201614

延伸閱讀