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We report the effect of basal-plane stacking faults (BSFs) on X-ray diffraction (XRD) of non-polar (1120) a-plane GaN films with different SiNx interlayers. Complete SiNx coverage and increased three-dimensional (3D) to two-dimensional (2D) transition stages substantially reduce BSF density. It was revealed that the Si-doping profile in the Sidoped GaN layer was unaffected by the introduction of a SiNx interlayer. The smallest in-plane anisotropy of the (1120) XRD ω-scan widths was found in the sample with multiple SiNx layers, and this finding can be attributed to the relatively isotropic GaN mosaic resulting from the increase in the 3D-2D growth step. Williamson-Hall (WH) analysis of the (h0h0) series of diffractions was employed to determine the c-axis lateral coherence length (LCL) and to estimate the mosaic tilt. The c-axis LCLs obtained from WH analyses of the present study’s representative a-plane GaN samples were well correlated with the BSFrelated results from both the off-axis XRD ω-scan and transmission electron microscopy (TEM). Based on WH and TEM analyses, the trends in BSF densities were very similar, even though the BSF densities extracted from LCLs indicated that the values were reduced by a factor of about twenty.
#Metal organic chemical vapor deposition #non-polar #gallium nitride #stacking faults #X-ray diffraction

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTS
III. RESULTS AND DISCUSSION
V. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (28)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - D. A. B. Miller / 1984 / Band-Edge Electroabsorption in Quantum Well Structures: The Quantum-Confined Stark Effect / Phys. Rev. Lett. 53 : 2173 ~ 2716 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - T. Takeuchi / 1997 / Quantum-Confined Stark Effect due to Piezoelectric Fields in GaInN Strained Quantum Wells / Jpn. J. Appl. Phys. 36 (4A) : L382 ~ L385 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - A. Chakraborty / 2005 / Properties of nonpolar a -plane InGaNGaN multiple quantum wells grown on lateral epitaxially overgrown a-plane GaN / Appl. Phys. Lett. 86 (3) : 031901-1 ~ 031901-3 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - P. Waltereit / 2000 / Nitride semiconductors free of electrostatic fields for efficient white light-emitting diodes / Nature 406 : 865 ~ 868 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - M. D. Craven / 2002 / Structural characterization of nonpolar (11-20) a-plane GaN thin films grown on (1-102) r-plane sapphire / Appl. Phys. Lett. 81 (3) : 469 ~ 471 google schola

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