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본 논문에서는 상용 GaN 100-nm 공정을 이용하여 진행파 방식의 W대역 single-pole single-throw(SPST) 스위치를 설계하였다. 상용 GaN 100-nm 공정에서 제공되는 스위치 트랜지스터를 W대역에서 이용하기 위하여 직렬 커패시터를 삽입하여 고주파에서 발생하는 기생성분을 보상하는 간단한 회로 구조를 제안하였다. 측정결과 삽입손실은 75 GHz～110 GHz 대역에서 2.564 dB 이하이며, 격리도는 78.7 GHz～110 GHz 대역에서 10 dB 이상, 88.5 GHz～110 GHz 대역에서 20 dB 이상, 96.8 GHz～110 GHz 대역에서 30 dB 이상의 성능을 보인다. S11과 S22 반사계수 특성은 75 GHz～110 GHz 대역에서 -11.068 dB 이하이다.

This paper reports a design of traveling-wave concept w-band single-pole single-throw(SPST) switch. In order to use the switch transistor provided in the commercial GaN 100-nm process in the W-band, a simple circuit structure is proposed to compensate for parasitic components generated at high frequency by using a series capacitor. A measured insertion loss is under 2.564 dB from 75 GHz to 110 GHz. A measured isolation is over 10 dB from 78.7 GHz to 110 GHz, over 20 dB from 88.5 GHz to 110 GHz and over 30 dB form 96.8 GHz to 110 GHz. A measured S11 and S22 is under -11.068 dB from 75 GHz to 110 GHz.
#GaN #W-band #MMIC #Switch #Traveling-Wave

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 회로 설계 및 측정 결과
Ⅲ. 결론
REFERENCES

참고문헌 (3)

참고문헌 신청
Hiroshi Mizutani / 2000 / DC–110-GHz MMIC Traveling-Wave Switch / IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 48(5):840~845 google schola Kun-You Lin / 2004 / Millimeter-Wave MMIC Passive HEMT Switches Using Traveling-Wave Concept / IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 52(8):1978~1808 google schola Kun-You Lin / 2003 / Millimeter-Wave MMIC Single-Pole-Double-Throw Passive HEMT Switches Using Impedance-Transformation Networks / IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 51(4):1076~1085 google schola

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