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In this paper, a thermally stable nickel silicide technology using the co-sputtering of nickel and titanium atoms capped with TiN layer is proposed for nano-scale metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) applications. The effects of the incorporation of titanium ingredient in the co-sputtered Ni layer are characterized as a function of Ti sputtering power. The difference between the one-step rapid thermal process (RTP) and two-step RTP for the silicidation process has also been studied. It is shown that a certain proportion of titanium incorporation with two-step RTP has the best thermal stability for this structure.
#Nickel silicide #titanium #co-sputtering #two-step RTP #thermal stability

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. EXPERIMENTAL
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSIONS
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (11)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - M. C. Poon / 1998 / Thermal stability of cobalt and nickel silicides / Microelectronics Reliability 38 (9) : 1495 ~ 1498 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - H. Iwai / 2002 / NiSi salicide technology for scaled CMOS / Microelectronic Engineering 60 (1) : 157 ~ 169 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - C. Lavoie / 2003 / Towards implementation of a nickel silicide process for CMOS technologies / Microelectronic Engineering 70 (2) : 144 ~ 157 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - J. G. Yun / 2005 / Highly thermal robust NiSi for nanoscale MOSFETs utilizing a novel hydrogen plasma immersion ion implantation and Ni-Co-TiN tri-layer / IEEE Electron Device Letters 26 (2) : 90 ~ 92 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - Y. J. Kim / 2006 / The Effect of Triple Capping Layer (Ti/Ni/TiN) on the Electrical and Structural Properties of Nickel Monosilicide / Journal of The Electrochemical Society 153 (1) : 35 ~ 38 google schola

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