実装応力に起因した半導体デバイスの電気特性変動について，応力効果を考慮したデバイスシミュレーションによる評価を行った。その際，ゲート長さが異なる3種類（ゲート長さ：24 μm，0.8 μm，85 nm）のnMOSFETに対して，デバイス内部の微細構造に起因する応力分布の影響を考慮した。DC特性値の変動をシミュレーションした結果，デバイス内部の応力分布を考慮した場合の変動率の方が，公称応力値（チップ表面の応力値）に対する変動率よりも小さくなった。デバイスの微細構造に起因するチャネル領域の残留応力が，デバイスの電気特性に有意な影響を及ぼすことを示した。
