無電解Snめっき膜より発生したウィスカの形態
2007 年 10 巻 4 号 p. 286-290
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2007 年 10 巻 4 号 p. 286-290
本研究ではほとんど研究報告がない無電解Snめっき膜より発生するウィスカについて, 特に, 基板の電解銅箔の結晶粒径の違いによるウィスカの発生数および構造の違いについて注目して検討を行った。これに加えて, ウィスカ発生を抑制する方法とそのメカニズムについても検討を行った。われわれは, 特に基板の結晶粒径の大きさと形成される金属問化合物の厚さとの相関性に注目した。実験結果より, 経時変化によるウィスカ発生数の計測結果より, 電解銅箔の結晶粒径の大きさは金属間化合物の形成とウィスカ発生数に影響を与えることがわかった。またそれは, 電解銅箔の結晶粒径が小さくなることによって, より厚い金属問化合物が形成され, それによりウィスカの発生数が増加することを示している。
