Представлены результаты измерения плотности плазмы в тех областях токового слоя, где преимущественно локализованы атомы гелия. Измерения проводились на основе анализа профилей спектральных линий нейтрального гелия 447 и 492 нм с использованием нового метода – определения полуширины на полувысоте красного крыла линии. Этот метод имеет ряд преимуществ по сравнению с классическими методами в условиях большого динамического диапазона изменения плотности плазмы и помех от спектральных линий примесей. Применение данного метода позволило впервые определить концентрацию электронов в различных областях токового слоя, а также при различных конфигурациях магнитного поля и величинах начального давления гелия, при которых происходит формирование токового слоя. Полученные результаты качественно согласуются с измерениями концентрации электронов на основе анализа профилей спектральных линий иона гелия, но несколько отличаются от них количественно, что обусловлено локализацией ионов и атомов гелия в разных областях токового слоя.