GaAs und GaN basierte Quantenpunkt-Halbleiteremitter und optimierte Nachweiselektroniken für Systemuntersuchungen zu Quantenkryptographie-Übertragungsprotokollen (QPENS) : Abschlussbericht zum Verbundprojekt ; Teilvorhaben: Entwicklung einer MOCVD-Anlagentechnik zur verbesserten Herstellung von Nano-Strukturen in den Materialsystemen AIGaInN (German)
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2012
- Report / Electronic Resource
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Title:GaAs und GaN basierte Quantenpunkt-Halbleiteremitter und optimierte Nachweiselektroniken für Systemuntersuchungen zu Quantenkryptographie-Übertragungsprotokollen (QPENS) : Abschlussbericht zum Verbundprojekt ; Teilvorhaben: Entwicklung einer MOCVD-Anlagentechnik zur verbesserten Herstellung von Nano-Strukturen in den Materialsystemen AIGaInN
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Additional title:Joined project: GaAs and GaN based quantum dot emitter and optimized detection electronics for quantum cryptography
QPENS -
Contributors:
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Publisher:
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Place of publication:Herzogenrath
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Publication date:2012
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Size:Online-Ressource (33 S., 819 KB)
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Remarks:Ill., graph. Darst.
Förderkennzeichen BMBF 13N9899. - Verbund-Nr. 01064292
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Auch als gedr. Ausg. vorhanden
Digital preservation by Technische Informationsbibliothek (TIB) / Leibniz-Informationszentrum Technik und Naturwissenschaften und Universitätsbibliothek -
DOI:
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Type of media:Report
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Type of material:Electronic Resource
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Language:German
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Contract number:13N9899, 01064292
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Source: