Section A
SiC パワー MOSFET の移動度向上に向けた界面処理を施した絶縁膜/SiC の埋もれた界面の硬Ｘ線光電子分光法による界面の化学結合状態評価
2022 年 10 巻 4 号 p. 375-377
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2022 年 10 巻 4 号 p. 375-377
4H-SiC 金属–酸化物–半導体電界効果トランジスタのチャネル抵抗低減に向け、4H-SiC 基板上への Al2O3 層形成手法を検討し、界面構造を評価した。本研究では、4H-SiC 基板上に堆積した Al 層を酸化し Al2O3 層を得る「金属薄膜酸化法」を提案し、界面構造を評価した。その結果、酸化温度 200 °C であっても、界面準位の起源となり得る 4H-SiC 基板酸化物の形成が確認され、更なる酸化条件の模索が必要であることが明らかになった。
