表面科学
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特集:酸化物表面のウェットプロセス
触媒表面基準エッチングによる単結晶SiC,GaN,ZnO表面の平滑化
山内 和人佐野 泰久有馬 健太
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キーワード: SiC, GaN, ZnO, chemical etching, flattening
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2012 年 33 巻 6 号 p. 334-338

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抄録

We developed an ultraprecise surface preparation method named catalyst referred etching (CARE) in which a reference plate is employed to be copied on to the work surface during chemical etching. The reference plate has a catalytic nature to enhance etching reaction just on the surface. Single crystalline SiC (0001), GaN (0001), and ZnO (0001) surfaces were processed by CARE, and evaluated to be nearly atomically flat and crystallographically highly ordered.

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