有機金属の熱分解を利用した気相化学成長法 (MOCVD 法) により, GaAs および InAs ホイスカーのエピタキシャル成長を検討した。成長温度400～500℃ の範囲を中心にホイスカーの太さ, 長さ, および成長方向に関する条件を調べた。ホイスカーは太さ 20～200nm, 長さ 100～5000nm の範囲でほぼ寸法制御でき, また, 成長方向は基板の結晶面方位により正確に制御できることがわかった。ホイスカーの成長は, 気相―液相―固相共存成長機構により説明できる。透過電子顕微鏡による結晶構造解析により, ホイスカーには, 閃亜鉛鉱型とウルツ鉱型との2種類の構造が現れることがわかった。フォトルミネッセンスにより, GaAs ホイスカー中のキャリヤの量子閉じ込め効果, また, イオウ処理による表面状態の変化を調べた。
