(株)日立製作所中央研究所
1991 年 12 巻 10 号 p. 623-627
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STMの探針を用いて行う表面修飾の方法を概観し,特に原子1個単位で操作できる手法について注目する。そのなかで二硫化モリブデン(MoS2)表面での電界蒸発による試みについて解説する。 MoS2表面に対してSTM像観察時よりも探針を近づけてパルス状強電界を印加して試料表面のS原子を引き出す。S原子の抜けた表面は,人工的欠陥を形成し,安定に存在する。この操作の連続により原子溝で作られた文字を形成した。
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