题名：干法刻蚀和氢等离子体处理制备增强型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT特性

作者：冯玉昆;于国浩;吴冬东;杜仲凯;张炳良;李新宇;张宝顺;

来源：

出版机构：同方知网（北京）技术有限公司

出版年:

DOI码：10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.12.004

注册时间：2021-12-10 02:16:21

以下是您获得的URL地址： https://link.cnki.net/doi/10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.12.004(境内) https://link.oversea.cnki.net/doi/10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.12.004(境外)