Russian Federation
V stat'e rassmatrivayutsya matematicheskie zavisimosti EKV modeli dlya formalizacii procedur proektirovaniya MOP – tranzistorov. Predstavlennye matematicheskie zavisimosti ispol'zuyutsya dlya ocenki elektricheskih parametrov elektronnoy komponentoy bazy. Krome togo, dannye modeli podtverzhdayut vozmozhnost' 3D modelirovaniya struktur v vide otdel'nyh elementov elektronnoy komponentnoy bazy.
Formalizaciya procedur proektirovaniya, SAPR, MOP – tranzistory, matematicheskie zavisimosti, EKV model'
1. Makromodel' EKV-RAD dlya KNI/KNS MOP - tranzistorov, uchityvayuschaya radiacionnye effekty / K.O. Petrosyanc, I.A. Haritonov, L.M. Samburskiy, A.S. Adonin - Rezhim dostupa: http://miem.hse.ru/data /2013/01/23/1306490252/ 8_Petrosyanc_EKV_rad.pdf. - Zagl. s ekrana.
2. Simulation of total dose influence on analog-digital SOI/SOS CMOS circuits with EKV-RAD macromodel / K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, L. M. Sambursky, V. N. Bogatyrev, Z. M. Povarnitcyna, E. S. Drozdenko // V sbornike: Proceedings of IEEE East-West Design and Test Symposium, EWDTS. - 2013. - S. 667.
3. Christian, C. Charge-based MOS Transistor Modeling The EKV model for low-power and RF IC design / Christian C. Enz Eric A. Vittoz // John Wiley & Sons, Ltd. - P. 328.
4. The EPFL-EKV MOSFET model equations for simulation. - Rezhim dostupa: http://files.lib.sfu-kras.ru/ebibl/umkd/48/Accesories/Orcad%209%20DEMO/Document/ekv26.pdf. - Zagl. s ekrana.
5. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya komponentov dlya sistem avtomatizacii proektirovaniya elektronnoy bazy na osnove sinteza virtual'noy real'nosti / V. V. Lavlinskiy // Modelirovanie sistem i processov. - 2013. - № 3. - S. 16-20.
6. Obzor programm dlya SAPR submikronnyh SBIS / V. A. Sklyar, K. V. Zol'nikov, V. V. Lavlinskiy, S. A. Evdokimova, V. I. Anciferova // Modelirovanie sistem i processov. - 2013. - № 2. - S. 72-76.
7. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya proektiruemyh ob'ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual'noy real'nosti v vide vozdeystviy tyazhelymi yadernymi chasticami / V. V. Lavlinskiy // Voprosy atomnoy nauki i tehniki. Seriya: Fizika radiacionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2014. - № 4. - S. 24-32.
8. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie issledovaniya modelirovaniya proektiruemyh ob'ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual'noy real'nosti pri vozdeystvii tyazhelymi zaryazhennymi chasticami / V. V. Lavlinskiy // Voprosy atomnoy nauki i tehniki. Seriya: Fizika radiacionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. - 2014. - № 4. - S. 33-35.
9. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya proektiruemyh ob'ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual'noy real'nosti v vide vozdeystviy tyazhelymi zaryazhennymi chasticami / V. V. Lavlinskiy // Modelirovanie sistem i processov. - 2013. - № 3. - S. 20-25.
10. Lavlinskiy, V. V. Algoritm formalizacii MOP-tranzistora dlya ob'ektno-orientirovannogo yazyka programmirovaniya / V. V. Lavlinskiy, A. H. H. Zhvad // Modelirovanie sistem i processov. - 2016. - T. 9, № 2. - S. 5-14.
11. Lavlinskiy, V. V. Osnovy formirovaniya 3D modeley dlya proektirovaniya sovremennyh MOP-tranzistorov s ispol'zovaniem sinteza virtual'noy real'nosti / V. V. Lavlinskiy, A. H. H. Zhvad, A. L. Savchenko // Modelirovanie sistem i processov. - 2015. - T. 8, № 3. - S. 59-64.
12. Modelirovanie ionizacionnyh effektov i effektov smescheniya v cifrovyh mikroshemah dlya SAPR / V. K. Zol'nikov, V. V. Lavlinskiy, Yu. A. Chevychelov, Yu. S. Serbulov, V. I. Anciferova, V. N. Achkasov, Yu. G. Tabakov // Lesotehnicheskiy zhurnal. - 2014. - T.4, №4 (16). - S. 280-291.
