近年、重金属層に隣接する磁性層中のスキルミオンは、そのナノサイズと微小電流による高速輸送により、新しい情報キャリアとして注目されている。しかし、典型的な例では、サイズと電流を大きくすると輸送速度が大きくなるというトリレンマがある。一方、磁性層と重金属層の界面に超薄膜を挿入することで、高いスピンミキシングコンダクタンスで輸送速度を高めることができる。その場合、挿入した極薄層を通しても必要なDMI（Dzyaloshinsky-Moriya interaction）を与え、スキルミオンを維持することが重要である。本研究では、CoFeBまたはGdCoを磁性層として用いた場合に、スキルミオンの維持に必要なDMI値を見積もる。