高分子電解質を用いた電気化学インプリントリソグラフィによる半導体ウェハのテクスチャリング

松田 竜樹; 山﨑 克真; 村田 順二

doi:10.11522/pscjspe.2022S.0_72

2022年度精密工学会春季大会

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2022S.0_72

会議情報

主催: 公益社団法人精密工学会

会議名: 2022年度精密工学会春季大会

開催地: オンライン開催

開催日: 2022/03/15 - 2022/03/17

高分子電解質を用いた電気化学インプリントリソグラフィによる半導体ウェハのテクスチャリング

*松田竜樹, 山﨑克真, 村田順二

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キーワード: 電気化学的インプリントリソグラフィ, 高分子電解質膜, 微細構造

会議録・要旨集フリー

p. 72-73

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抄録

太陽電池に使用される半導体ウェハは，パターン構造を転写することで反射低減などの機能付与が可能である．しかし，これらの加工には高温真空環境が必要となり，多大なエネルギー使用が課題となる．そこで，本研究では高分子電解質膜(PEM)を用いた陽極(加工物)/PEM/陰極の電解機構により，室温大気圧下で半導体ウェハにテクスチャリングを行った．そして，本加工法がパターン構造や酸化膜質に与える影響について考察した．

責任著者(Corresponding author)

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